鎧俠美國公司宣布已開始樣品出貨 （1） 采用其第 9 代 BiCS FLASH 3D 閃存技術 的 512Gb 三級單元 （TLC） 存儲設備。
計劃于2025財年開始量產。這些器件旨在支持在中低級存儲容量中需要高性能和能效的應用。它們還將集成到公司的企業級 SSD 中，特別是那些旨在最大限度地提高 AI 系統中 GPU 效率的 SSD。
鎧俠繼續奉行雙軸戰略，以滿足尖端應用的多樣化需求，同時提供具有競爭力的產品，提供最佳的投資效率。
這 2 個軸是：
- 第9代BiCS FLASH產品：這些產品通過利用CBA（CMOS直接鍵合到陣列）技術（2）將現有存儲單元技術（3）與最新的CMOS技術集成在一起，以更低的生產成本實現高性能。
- 第 10 代 BiCS FLASH 產品：這些產品擴展了內存層數，以滿足未來對更大容量、高性能解決方案的預期需求。
新的第 9 代 BiCS FLASH 512Gb TLC 采用基于第 120 代 BiCS FLASH 技術和先進 CMOS 技術的 5 層堆疊工藝開發，與公司現有具有相同 512Gb 容量的 BiCS FLASH 產品 （4） 相比，性能顯著提高。
這些包括：
- 寫入性能：提高 61%
- 讀取性能：提高 12%
- 電源效率：寫入作時提高 36%，讀取作時提高 27%
- 數據傳輸速度：Toggle DDR6.0 接口可實現高速 3.6Gb/s （5） NAND 接口性能
- 位密度：通過平面縮放的進步提高了 8%
此外，該公司還確認 512Gb TLC 在演示條件下以高達 4.8Gb/s （5） 的 NAND 接口速度運行。產品陣容將根據市場需求確定。
鎧俠致力于加強其全球合作伙伴關系并追求進一步創新，以繼續提供滿足客戶多樣化需求的最佳解決方案。
（1） 這些樣品用于功能檢查，樣品的規格在批量生產中可能會有所不同。
（2） 每個CMOS晶圓和電池陣列晶圓在其優化條件下分別制造，然后鍵合在一起的技術。
（3） 112層第5代BiCS FLASH和218層第8代BiCS FLASH技術。新的第 9 代 BiCS FLASH 產品系列將包含其中之一，具體取決于型號。
（4） 第 6 代 BiCS 閃存，它部署了與該產品相同的 512Gb TLC 產品。
（5） 1Gb/s 按 1,000,000,000bits/秒計算。該值是在鎧俠的特定測試環境中獲得的，可能會因使用條件而異。
