16日消息，重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義介紹，目前實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電源、數(shù)據(jù)中心等方面。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項(xiàng)目已經(jīng)到了試驗(yàn)性應(yīng)用階段，未來(lái)有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。

重慶郵電大學(xué)校長(zhǎng)高新波此前表示，重郵在第三代半導(dǎo)體技術(shù)方面取得了系列突破和豐富成果。重郵已聯(lián)合成都電子科大、西安電子科大、北京理工大學(xué)等院校，大力推進(jìn)西部(重慶)科學(xué)城行動(dòng)計(jì)劃重大項(xiàng)目，全力建設(shè)“重慶市集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新孵化中心”。

目前，該孵化中心已入駐西部(重慶)科學(xué)城。該中心將著力建設(shè)集成電路公共設(shè)計(jì)、測(cè)試分析、半導(dǎo)體工藝等為一體集成電路中試平臺(tái)，提供低成本、高效率的集成電路公共服務(wù)與專業(yè)技術(shù)支持。