臺(tái)積電核準(zhǔn)新臺(tái)幣2,009.1億擴(kuò)充及產(chǎn)能

晶圓代工龍頭臺(tái)積電13日舉行董事會(huì)，會(huì)中核準(zhǔn)2,009.1億元（新臺(tái)幣，下同）資本支出，以因應(yīng)擴(kuò)充產(chǎn)能與發(fā)展先進(jìn)制程的需求。另外，也核準(zhǔn)2019年第2季每股2.5元之現(xiàn)金股利，并且通過(guò)黃

3D封裝技術(shù)突破！臺(tái)積電、英特爾引領(lǐng)代工封測(cè)廠

針對(duì)HPC芯片封裝技術(shù)，臺(tái)積電已在2019年6月于日本VLSI技術(shù)及電路研討會(huì)(2019 Symposia on VLSI Technology Circuits)中，提出新型態(tài)SoIC(System on Integrated Chips)之3D封裝技術(shù)論文；透過(guò)微縮凸塊(

臺(tái)積電7月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)2019年單月次高，預(yù)期第3季營(yíng)運(yùn)展望樂(lè)觀

晶圓代工龍頭臺(tái)積電12日公布7月份營(yíng)收，金額來(lái)到847.58億元（新臺(tái)幣，下同），較6月的858.68億元，減少1.3%，較2018年同期的743.71億元，增加14%，創(chuàng)下2019年單月?tīng)I(yíng)收次高紀(jì)錄。累計(jì)，201

成熟度優(yōu)于臺(tái)積電7納米？格芯推出12納米ARM架構(gòu)3D芯片

晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8日宣布，開(kāi)發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測(cè)試芯片，將實(shí)現(xiàn)更高水準(zhǔn)的性能和功效。由于當(dāng)前芯片封裝一直是芯片制造中的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，使得在傳統(tǒng)的2

晶圓代工第3季展望 臺(tái)積電獨(dú)旺

晶圓代工業(yè)傳統(tǒng)旺季來(lái)臨，因全球經(jīng)濟(jì)疲軟，聯(lián)電與世界先進(jìn)第3季營(yíng)運(yùn)恐將旺季不旺，僅臺(tái)積電展望樂(lè)觀，業(yè)績(jī)表現(xiàn)可望維持旺季水準(zhǔn)。聯(lián)電與世界先進(jìn)7月業(yè)績(jī)同步攀高，聯(lián)電營(yíng)收攀升

采用臺(tái)積電7納米制程，AMD第2代EPYC服務(wù)器處理器問(wèn)世

當(dāng)許多人將目光聚焦在三星發(fā)表新一代旗艦型智能手機(jī)Galaxy Note 10系列的身上之際，另一場(chǎng)重量級(jí)的發(fā)表會(huì)，也同時(shí)間在美國(guó)舉行。那就是在處理器大廠AMD的發(fā)表會(huì)上，AMD正式發(fā)表了第

臺(tái)積電前研發(fā)處長(zhǎng)楊光磊加入中芯國(guó)際 任獨(dú)立非執(zhí)行董事

8月7日，晶圓代工廠中芯國(guó)際發(fā)布公告，宣布自2019年8月7日起，楊光磊博士獲委任為第三類獨(dú)立非執(zhí)行董事及薪酬委員會(huì)成員。公告介紹稱，楊光磊博士59歲，1981年畢業(yè)于國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)電

三強(qiáng)爭(zhēng)霸半導(dǎo)體先進(jìn)制程，臺(tái)積電可望持續(xù)領(lǐng)先

臺(tái)積電、Samsung與Intel在先進(jìn)制程發(fā)展的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系備受市場(chǎng)矚目。過(guò)去先進(jìn)制程發(fā)展除了解決微縮閘極寬度上的困難外，EUV光刻機(jī)設(shè)備性能也是關(guān)鍵影響因素之一；能夠達(dá)成Immersion機(jī)臺(tái)的

南大光電擬收購(gòu)飛源氣體57.97%股權(quán) 后者為臺(tái)積電、中芯國(guó)際供應(yīng)商

日前，電子材料企業(yè)南大光電發(fā)布公告稱，為進(jìn)一步優(yōu)化資源配置，提高公司盈利能力，擬采用現(xiàn)金收購(gòu)及增資方式取得山東飛源氣體有限公司（以下簡(jiǎn)稱 飛源氣體 ）57.97%股權(quán)。公告顯

日韓貿(mào)易戰(zhàn)牽動(dòng)7納米競(jìng)爭(zhēng) 臺(tái)積電狠甩三星

日韓貿(mào)易戰(zhàn)加劇，日本管制關(guān)鍵高純度氟化氫等應(yīng)用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接打亂三星沖刺7納米以下先進(jìn)制程布局，預(yù)料受原料管制趨嚴(yán)下，三星要藉沖刺先制程搶食臺(tái)積電晶

臺(tái)積電推出N7P和N5P制程

晶圓代工龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程又有新產(chǎn)品推出！根據(jù)國(guó)外科技媒體《anandtech》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已悄然推出 7 納米深紫外 DUV（N7）和 5 納米極紫外 EUV（N5）制程的性能增強(qiáng)版本。兩代號(hào)稱為

傳比特大陸爆大單，臺(tái)積電急擴(kuò)7納米產(chǎn)能

據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電供應(yīng)鏈又有新消息指出，7納米制程供不應(yīng)求將緊急擴(kuò)產(chǎn)。此前曾有消息傳出礦機(jī)龍頭比特大陸向臺(tái)積電下大單，如今消息更進(jìn)一步顯示，臺(tái)積電將

臺(tái)積電：已渡過(guò)業(yè)務(wù)周期底部 第三季度業(yè)績(jī)將進(jìn)一步提升

7月18日，晶圓代工龍頭廠商臺(tái)積電公布其2019年第二季度業(yè)績(jī)。從數(shù)據(jù)來(lái)看，臺(tái)積電第二季度營(yíng)收超出此前預(yù)期，并預(yù)計(jì)第三季度業(yè)績(jī)將會(huì)進(jìn)一步提升。數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度臺(tái)積電實(shí)

臺(tái)積電短期沒(méi)有日韓貿(mào)易戰(zhàn)轉(zhuǎn)單，因應(yīng)5納米2019年資本支出將略增

對(duì)于外傳因?yàn)槿枕n貿(mào)易戰(zhàn)，韓國(guó)三星因?yàn)槭艿饺毡驹瞎苤频那闆r，導(dǎo)致晶圓代工業(yè)務(wù)可能受到影響，使得臺(tái)積電將能受到轉(zhuǎn)單效應(yīng)的消息，臺(tái)積電在18日法說(shuō)會(huì)后與媒體的聯(lián)訪時(shí)表示，

日本對(duì)韓限制出口半導(dǎo)體材料，臺(tái)積電或?qū)⑹找?/b>