國電南瑞擬與聯(lián)研院合資設(shè)立功率半導(dǎo)體公司,主攻IGBT
合作有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn),保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
合作有利于公司降低IGBT等功率器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn),保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導(dǎo)體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
據(jù)合肥高新區(qū)報(bào)道,近日,合肥中恒微半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱 中恒微半導(dǎo)體 )首期投產(chǎn)儀式在高新區(qū)明珠產(chǎn)業(yè)園舉行。圖片來源:合肥高新股份該項(xiàng)目規(guī)劃分為兩期建設(shè),一期產(chǎn)能
1、「DRAMeXchange-全球半導(dǎo)體觀察」包含的內(nèi)容和信息是根據(jù)公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和信息并未經(jīng)獨(dú)立核實(shí)。本網(wǎng)站有權(quán)但無此義務(wù),改善或更
近年來,隨著行業(yè)景氣度向好和政策的推動(dòng),中國IGBT產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)快速成長(zhǎng),多家廠商擴(kuò)建或新建產(chǎn)線,同時(shí)亦有不少新進(jìn)入者搶奪市場(chǎng)。據(jù)集邦咨詢分析,目前市場(chǎng)新入者主要有三類,一
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高頻率、高電壓、大電流、易于