半導體世界12月8日消息，韓國存儲廠商SK海力士于昨日宣布，已完成176層NAND閃存的開發。目前，SK海力士已開始向客戶提供樣品，并計劃于2021年中期開始批量生產。

SK海力士是全球范圍內主要的存儲廠商，在NAND Flash市場排第四位。今年三季度，SK海力士在該領域的市占率為11.3%。

產品方面，據TrendForce集邦咨詢分析師葉茂盛介紹，SK海力士當前仍致力于推動客戶采用成本較佳的96及128層產品方案，其中128層產品的產出預計到年底前可以達到30%。

SK海力士官網顯示，最新開發的NAND閃存為4D NAND第三代，比上一代128層產品提高了35%以上生產率，成本競爭力有所提升。此外，新開發的176層NAND可使數據的最大讀取速度提高約70％，使數據寫入速度提高約35％。

除了智能手機，新產品還可用于個人電腦和服務器配備的存儲器固態硬盤（SSD）等。目前，SK海力士已開始向客戶企業提供樣品，計劃2021年中期開始量產。

“堆疊競賽”提速

NAND閃存制造的技術實力可以通過設備中堆疊的存儲單元層數來衡量，更多的層數意味著更高的容量和更大的密度。NAND閃存市場競爭激烈，圍繞堆疊技術的較量也一直非常緊張。

整體來看，繼過去一年堆疊技術突破100層之后，各廠商開始往更高層數上推進。

作為NAND閃存市場的重要玩家，美光率先開發出了176層產品。今年11月，美光宣布成功開發出了176層產品，與128層產品相比，讀寫延遲降低了25%以上。

全球最大NAND閃存制造商三星電子的第七代V-NAND正處于開發階段，預計將于明年量產，但三星尚未公布其層配置。三星電子高級副總裁韓進滿表示：“我們的第六代V-NAND采用單堆疊技術最多可具有128層，采用雙堆棧技術后，256層堆疊是可能的。”

三星方面還表示，芯片中堆疊的實際層數可能會根據消費者的需求和市場狀況而變化。

封面圖片來源：SK海力士