10月9日，中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）關(guān)于向特定對象發(fā)行A股股票申請獲得上海證券交易所受理。

募資100億，擴充泛半導體產(chǎn)業(yè)鏈

根據(jù)募集說明書（申報稿）顯示，中微公司此次向特定對象發(fā)行A股股票總金額不超過100億元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后的凈額將用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、中微臨港總部和研發(fā)中心項目、以及作為科技儲備資金。

▲來源：中微公司公告截圖

其中，中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目總投資31.77億元，計劃在上海臨港新片區(qū)以及南昌市高新區(qū)新建生產(chǎn)基地，進一步擴充公司現(xiàn)有集成電路設(shè)備及泛半導體設(shè)備產(chǎn)品線產(chǎn)能、開發(fā)公司新產(chǎn)品線、與主流半導體設(shè)備廠商合作，為公司未來高速穩(wěn)健發(fā)展打下堅實基礎(chǔ)。

項目建成并達產(chǎn)后，主要用于生產(chǎn)集成電路設(shè)備、泛半導體領(lǐng)域生產(chǎn)及檢測設(shè)備，以及部分零部件等。其中，臨港產(chǎn)業(yè)化基地將主要承擔公司產(chǎn)品的產(chǎn)能擴充及新產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)工作；南昌產(chǎn)業(yè)化基地主要承擔較為成熟產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)及部分產(chǎn)品的研發(fā)升級工作。

中微臨港總部和研發(fā)中心項目總投資37.56億元，將在上海臨港新片區(qū)建立中微臨港總部和研發(fā)中心，搭建從產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、樣品制造與模擬測試到大規(guī)模工業(yè)投產(chǎn)的全周期研發(fā)平臺。同時，本項目將根據(jù)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢及市場需求，開展高端半導體、泛半導體領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品與設(shè)備制造的研發(fā)工作。

該項目建成后，將成為中微公司臨港總部和研發(fā)中心，集辦公、研發(fā)、試驗、服務(wù)等功能于一體，從硬件設(shè)施層面滿足公司集成電路設(shè)備、泛半導體設(shè)備、關(guān)鍵零部件等的研發(fā)需求。

該項目的研發(fā)投入將用于新產(chǎn)品的研發(fā)工作，除等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等優(yōu)勢產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化外，還將開展前瞻性技術(shù)研究、推動集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零部件國產(chǎn)化、推進泛半導體設(shè)備產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。

中微公司表示，本次募集資金投資項目緊緊圍繞公司主營業(yè)務(wù)展開，是公司現(xiàn)有業(yè)務(wù)的提升和擴充，為公司實現(xiàn)中長期戰(zhàn)略發(fā)展目標奠定堅實的基礎(chǔ)，通過募集資金投資項目的實施，公司產(chǎn)品線將擴充泛半導體產(chǎn)業(yè)鏈、實現(xiàn)多產(chǎn)品布局。

不過，本次發(fā)行尚待上交所審核通過和證監(jiān)會注冊批復。

多維度擴展業(yè)務(wù)布局

資料顯示，中微公司從事半導體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為集成電路、LED芯片、MEMS等半導體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供等離子體刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備及其他設(shè)備，目前的產(chǎn)品主要包括CCP刻蝕設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)備、以及MOCVD設(shè)備。多年來，通過核心技術(shù)的創(chuàng)新，中微公司的產(chǎn)品已達到國際先進和國內(nèi)領(lǐng)先水平。

刻蝕設(shè)備技術(shù)方面，在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，中微公司開發(fā)的高端等離子體刻蝕設(shè)備已運用在國際知名客戶65納米到5納米的芯片生產(chǎn)線上，目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備；

在3DNAND芯片制造環(huán)節(jié)，中微公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

此外，根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，中微公司正在進行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3DNAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。

MOCVD設(shè)備技術(shù)方面，該公司的PrismoD-Blue、PrismoA7能分別實現(xiàn)單腔14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力，其中PrismoA7設(shè)備已在全球氮化鎵基LEDMOCVD市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。

同時，公司研發(fā)出用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備，已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端成功驗證，并獲得多家行主流企業(yè)與科研院所的訂單。此外，MiniLED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進行中；制造MicroLED、功率器件等應(yīng)用的MOCVD設(shè)備亦正在開發(fā)中。

對于未來發(fā)展戰(zhàn)略，中微公司表示，公司已形成三個維度擴展未來公司業(yè)務(wù)的布局規(guī)劃：深耕集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域、擴展在泛半導體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并探索其他新興領(lǐng)域的機會。

具體而言，中微公司正考慮擴大在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，延伸到薄膜、檢測等其他關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域；計劃擴展在泛半導體領(lǐng)域設(shè)備的應(yīng)用，布局顯示、MEMS、功率器件、太陽能領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備；擬探索其他新興領(lǐng)域的機會，考慮從設(shè)備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)的機會，以及探索更多集成電路及泛半導體設(shè)備生產(chǎn)線相關(guān)環(huán)保設(shè)備及醫(yī)療健康智能設(shè)備等領(lǐng)域的市場機會。

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