如今隨著5G技術(shù)日益普及，場景轉(zhuǎn)換效率和高溫穩(wěn)定性的應(yīng)用需求與日俱增，碳化硅（SiC）器件憑借其優(yōu)異特性而加速滲透。其中SiC MOSFET作為碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件之一，已在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等場景中的需求量提升，引來不少國際大廠的積極探索和深入布局……

事實上，SiC MOSFET的市場競爭早已如火如荼。2018年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模近4億美元，到2024年將增長至20億美元，整體復(fù)合成長率約達(dá)30%。

競爭格局高度集中

與全球MOSFET行業(yè)格局相似，SiC MOSFET市場目前主要由行業(yè)領(lǐng)頭的國際功率半導(dǎo)體公司主導(dǎo)。具體來看，美國Cree公司得益于晶圓產(chǎn)量的優(yōu)勢，其市場份額獨(dú)占鰲頭；其他國際大廠如ROHM、英飛凌、ST、安森美等均已積極推廣SiC新器件，聚焦在高工藝、定制化、穩(wěn)供應(yīng)上。至于眾多國產(chǎn)廠家也在跟進(jìn)布局，希望能快一步縮短發(fā)展距離。總體上看，雖然SiC MOSFET市場規(guī)模相對還不太大，但增長速度足夠快。

面對市場競爭日益激烈的SiC MOSFET市場，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源表示：“我更愿意把碳化硅的布局看作是一場‘超級馬拉松’，角逐的時間越久，就越需要競爭來相互激發(fā)斗志。英飛凌一直樂見競爭，當(dāng)市場上產(chǎn)品百花齊放，客戶擁有更多的選擇，這才是整個產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展成熟的象征。”

國際大廠作為SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)布局的排頭兵，更著重發(fā)展哪些硬實力呢？

來自羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司技術(shù)中心的高級經(jīng)理蘇勇錦認(rèn)為：一是核心技術(shù)實力。ROHM作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)之一，核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，足以推動SiC MOSFET產(chǎn)品的持續(xù)開發(fā)。二是實現(xiàn)量產(chǎn)的能力。ROHM早于2010年開始量產(chǎn)SiC MOSFET，2012年開始供應(yīng)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載級產(chǎn)品，如今更是與國內(nèi)外汽車企業(yè)深度合作，產(chǎn)品和解決方案均獲得市場好評。三是擁有配套的解決方案。ROHM作為綜合半導(dǎo)體制造商，不僅可以提供新推出的SiC功率元器件，還包括充分發(fā)揮元器件性能的控制IC、支持客戶使用環(huán)境的評估和仿真工具等等。

據(jù)介紹，2020年ROHM推出的“1200V第四代SiC MOSFET”通過大幅減少寄生電容來降低約50％的開關(guān)損耗，兼具了低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的汽車動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。該產(chǎn)品已于6月開始依次提供裸片樣品，未來還將提供分立器件樣品。

“英飛凌在2001年就推出世界首款碳化硅二極管，并成為該領(lǐng)域的主要供應(yīng)商。為了進(jìn)一步擴(kuò)展碳化硅產(chǎn)品組合，2020年2月底英飛凌發(fā)布了8款CoolSiC MOSFET產(chǎn)品。”陳清源介紹道，“全新650V系列基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，可以在毫不折衷的情況下實現(xiàn)最低的損耗和最佳可靠性的運(yùn)作，目標(biāo)市場有服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等。今天可以很自豪地告訴大家，上述新品推出僅2個月，英飛凌就已幫助大中華區(qū)客戶順利實現(xiàn)量產(chǎn)！”

陳清源將英飛凌和終端客戶快速實現(xiàn)SiC MOSFET應(yīng)用落地的秘訣歸類為四點：一是英飛凌在電源管理領(lǐng)域里幾十年的技術(shù)優(yōu)勢和經(jīng)驗，這是公司持續(xù)研發(fā)、創(chuàng)新應(yīng)用的奠基石；二是英飛凌在產(chǎn)品設(shè)計上注重最佳性能和高可靠度，并且擁有自己的生產(chǎn)線，可以構(gòu)建一個穩(wěn)固的供應(yīng)鏈環(huán)境；三是英飛凌可以提供Si/SiC/GaN全產(chǎn)品線方案，并可以根據(jù)客戶的個性化需求進(jìn)行“方案定制”；四是英飛凌會繼續(xù)加大對功率器件的布局和投入，預(yù)計2020年底英飛凌還會推出相關(guān)新產(chǎn)品，到2021年該產(chǎn)品線會擴(kuò)展到50個產(chǎn)品以上。

全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域排名第二的安森美半導(dǎo)體，在SiC MOSFET布局上也成績斐然。2020年第一季度安森美發(fā)布了900V SiC MOSFET技術(shù)，并將于下半年發(fā)布650V SiC MOSFET技術(shù)。其中，安森美與客戶合作的碳化硅應(yīng)用范圍已經(jīng)從常見的汽車牽引逆變器、電動汽車(EV)車載充電、電動汽車充電樁(EVC)、光伏和云計算等等，逐步推向?qū)I(yè)音頻、專業(yè)照明、醫(yī)療、電動工具、電器、輔助電機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域。

安森美半導(dǎo)體寬禁帶產(chǎn)品線經(jīng)理Brandon Becker告訴《國際電子商情》，SiC MOSFET的競爭格局日益激烈，每家器件制造商都極快地反映市場需求、加速項目落地，從而涌現(xiàn)出多代技術(shù)。對此，他認(rèn)為安森美半導(dǎo)體具有多重競爭優(yōu)勢，如內(nèi)部供應(yīng)鏈、制造專知、SiC MOSFET器件的高性能以及客戶支持等。當(dāng)下，安森美會繼續(xù)聚焦在幫助客戶設(shè)計具有最佳性能和價格的系統(tǒng)方面，以及集中力量提高產(chǎn)量以縮短交貨時間。

東芝半導(dǎo)體分立器件市場副經(jīng)理趙丹則介紹稱，東芝是知名的功率器件供應(yīng)商，在傳統(tǒng)硅器件就具有高性價比的口碑，對于新的碳化硅產(chǎn)品也不斷優(yōu)化設(shè)計細(xì)節(jié)。比如2020年已經(jīng)量產(chǎn)的第二代SiC MOSFET TW070J120B（1200V，70mΩ），主要有三個特點：VGSS額定值做到更寬的-10V~25V，便于應(yīng)用在更多的設(shè)計中；Vth更高從而避免系統(tǒng)的誤動作，其典型是5V而標(biāo)稱范圍是4.2~5.8V；內(nèi)置的肖特基二極管降低了VF，有助于降低導(dǎo)通損耗。新產(chǎn)品主要應(yīng)用于大功率電源、電力轉(zhuǎn)換、光伏逆變等場合。

“與前幾家國際大廠相比，瑞能半導(dǎo)體（WeEn）在客戶服務(wù)響應(yīng)以及客戶特殊的定制化需求方面具有極大的優(yōu)勢，”瑞能半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)章劍鋒分享道，“公司深耕功率器件幾十年，具備快速的客戶服務(wù)響應(yīng)及穩(wěn)定的供貨，在國內(nèi)各級客戶中享有非常好的口碑，產(chǎn)品品質(zhì)方面也延續(xù)了恩智浦（NXP）一貫以來的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。”

據(jù)悉，瑞能2020年計劃相繼推出1200V 160m?//80m?//40m?/ SiC MOSFET產(chǎn)品，很多客戶對此表現(xiàn)出了極大的興趣。下一步，瑞能半導(dǎo)體將進(jìn)一步加大硅材料和碳化硅材料的功率器件產(chǎn)品的投入，擴(kuò)大產(chǎn)品系列，拓展應(yīng)用范圍，以為客戶創(chuàng)造價值為最終目標(biāo)。

這些應(yīng)用領(lǐng)域更具前景

相比傳統(tǒng)硅材料，碳化硅具有寬的帶隙、高的熔點、低的介電常數(shù)、高的擊穿場強(qiáng)、高的導(dǎo)熱系數(shù)和高的飽和電子漂移速度等特性，可以讓其制成器件在更高的溫度、更近的距離、更高的功率級別的場景下工作。而對于設(shè)計者和使用者而言，碳化硅還能很好地解決散熱難題，解決了工程師“老大難”問題。

綜上所述，據(jù)英飛凌觀察，SiC MOSFET最熱門的主要是對效率、功率密度以及可靠性要求很高的應(yīng)用，包括：服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通訊系統(tǒng)的開關(guān)電源，工業(yè)電源，太陽能逆變器，UPS(不間斷電源)，電池化成(formation)電源，充電樁以及例如車載充電器這一類汽車應(yīng)用等等。

蘇勇錦表示，SiC材料具有耐高溫、高耐壓、高頻的特點，比Si更薄、更輕、更小巧，因此ROHM會加速SiC MOSFET在能源、xEV、ICT等增長型市場中的應(yīng)用。

事實上，在人們翹首以待5G商用的2020年里，SiC MOSFET在5G領(lǐng)域的前景更引人入勝。

安森美Brandon Becker表示，5G的速度可比4G LTE快20倍，所以5G硬件內(nèi)就更需要能夠處理更高功率、具有更好散熱性能的器件，使設(shè)備不會過熱并高效地進(jìn)行優(yōu)化。這些“新”平臺的性能目標(biāo)和SiC MOSFET非常匹配，因為SiC更適合處理嚴(yán)苛的條件。況且隨著云和人工智能（AI）以指數(shù)級增長，更高功率密度的需求是設(shè)計工程師的主要關(guān)注點，未來SiC也將在設(shè)計環(huán)節(jié)中變得至關(guān)重要。

羅姆蘇勇錦則看好SiC MOSFET在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器兩大應(yīng)用領(lǐng)域中的發(fā)展。一方面，隨著AI和IoT的發(fā)展與普及，各國社會對云服務(wù)的需求日益增加，導(dǎo)致全球?qū)?shù)據(jù)中心的需求呈爆發(fā)式增長。數(shù)據(jù)中心所使用的服務(wù)器正在向大容量、高性能方向發(fā)展，而如何降低功耗量就成為亟需解決的課題之一。另一方面，以往服務(wù)器的功率轉(zhuǎn)換電路中，主要采用的是硅元器件；如今損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。

東芝半導(dǎo)體趙丹則強(qiáng)調(diào)，5G產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特點，這使得碳化硅比傳統(tǒng)硅基器件更具優(yōu)勢。但值得一提的是，在射頻領(lǐng)域，5G通信芯片應(yīng)該是使用碳化硅襯底、氮化鎵外延器件更優(yōu)。

瑞能半導(dǎo)體章劍鋒認(rèn)為，5G時代下，雖然SiC MOSFET不會直接作為5G通信芯片，但是在5G基站電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源等需要電力電子的應(yīng)用場景，使用SiC MOSFET產(chǎn)品可以帶來整體電能利用效率的顯著提升以及電力電子裝置體積的小型化。尤其在疫情期間，在線會議和云辦公的大規(guī)模發(fā)展，數(shù)據(jù)中心和5G通信基站建設(shè)如火如荼，碳化硅功率器件產(chǎn)品的市場規(guī)模也增長明顯。

此外，章劍鋒還在越來越多的電動汽車上看到了SiC MOSFET的身影，例如特斯拉Model 3。他補(bǔ)充道：“雖然目前Model 3只在主驅(qū)動逆變器上應(yīng)用了SiC MOSFET，但一輛車也需要24顆SiC MOSFET，甚至未來的車載充電機(jī)（OBC）、DC-DC等部分都會應(yīng)用SiC MOSFET。換言之，未來SiC MOSFET出貨量的上升幅度將會直接正比于電動汽車市場規(guī)模的增長，這是一個不容小覷的市場機(jī)會。”

SiC MOSFET發(fā)展的制約因素？

分析一個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展脈絡(luò)，不能只關(guān)注驅(qū)動因素，更需要直面制約因素，只有補(bǔ)齊短板才能更長遠(yuǎn)地發(fā)展。SiC MOSFET也是如此，盡管其優(yōu)異性能已經(jīng)眾所周知，但仍有三大因素制約著產(chǎn)業(yè)鏈上下的同步發(fā)展。

1、SiC基板的開發(fā)

安森美Brandon Becker認(rèn)為，SiC基板的開發(fā)是公司以及其它廠家都在著力解決的最大瓶頸之一。SiC基板與傳統(tǒng)的硅晶錠有很大不同，從設(shè)備、工藝、處理到切割的一切都需要進(jìn)行開發(fā)，以處理碳化硅。安森美半導(dǎo)體在這瓶頸上投入了大量研發(fā)工作，以降低缺陷密度，從而實現(xiàn)更佳的成本結(jié)構(gòu)，以擴(kuò)大客戶對SiC MOSFET的采用。

至于其他瓶頸，Brandon Becker補(bǔ)充道，包括但不限于外延生長、晶圓廠加工和封裝等等。“這些供應(yīng)鏈步驟中的每一步都有獨(dú)特的瓶頸，安森美每天都在解決。”他說。

2、成本普遍較高

陳清源表示，相對于硅材料器件而言，碳化硅器件是比較新的產(chǎn)品，因為產(chǎn)量和產(chǎn)能原因，所以價格相對較高，這是其在商用化道路中主要的阻力。

趙丹贊同道：“由于SiC材料的特性，目前SiC器件整體還是良率偏低，整體出貨數(shù)量也還偏少，所以整體平均成本還比較高。對此東芝的策略是：不斷優(yōu)化生產(chǎn)，改進(jìn)器件的內(nèi)部設(shè)計結(jié)構(gòu)，提升工藝參數(shù)。”

章劍鋒補(bǔ)充道，碳化硅晶圓材料特別是高品質(zhì)晶圓價格較高，也導(dǎo)致SiC MOSFET成本增加。對此，瑞能半導(dǎo)體設(shè)計了超低比導(dǎo)通電阻值（Ron,sp）的SiC MOSFET，單位面積具備更大的電流導(dǎo)通能力，也就是說同一片碳化硅晶圓上WeEn可以產(chǎn)出更多的有效芯片,從而提高性價比。

蘇勇錦則指出，由于使用SiC可以減少電池和冷卻系統(tǒng)等外圍元器件的數(shù)量，因此在某些設(shè)備中，采用SiC反而能夠降低系統(tǒng)整體的成本。因此目前其應(yīng)用案例與日俱增，ROHM預(yù)計未來SiC市場會有顯著增長。

對于即將爆發(fā)的市場需求，ROHM采取了三個舉措，蘇勇錦介紹道：“首先，ROHM建立了引以為豪的垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制，并通過擴(kuò)大晶圓的直徑和引進(jìn)新設(shè)備來提高生產(chǎn)效率。此外，ROHM還在位于日本的阿波羅工廠投建了新廠房，以擴(kuò)大SiC功率元器件的產(chǎn)能。未來，ROHM將通過推進(jìn)低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)兼?zhèn)涞牡谒拇鶶iC等高附加值產(chǎn)品的開發(fā)，繼續(xù)提供具有成本優(yōu)勢的系統(tǒng)整體解決方案。”

3、原材料的品質(zhì)和供應(yīng)

事實上，碳化硅是一種非常難處理的材料，它可以形成超過150種的多型，開發(fā)技術(shù)難度極大，品質(zhì)參差不齊，供應(yīng)環(huán)節(jié)也時有風(fēng)險。

在品質(zhì)上，章劍鋒分析稱，由于MOSFET對碳化硅晶圓材料的品質(zhì)要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于肖特基二極管產(chǎn)品，SiC MOSFET單顆芯片的尺寸也要大于碳化硅二極管產(chǎn)品，對碳化硅晶圓材料的缺陷密度有著更高的要求，更高品質(zhì)的碳化硅晶圓可以顯著提高目前SiC MOSFET芯片的良率。對此，瑞能半導(dǎo)體一直與國內(nèi)外的碳化硅晶圓材料廠商有著密切交流合作，從下游芯片制造的角度協(xié)助材料廠商改善碳化硅晶圓生長工藝。

在供應(yīng)環(huán)節(jié)上，英飛凌擁有強(qiáng)大而穩(wěn)定的制造和物流系統(tǒng)，使得即使在最具挑戰(zhàn)的供需環(huán)境中，也能保障對客戶承諾的交付。陳清源表示，目前英飛凌的交期都會通過系統(tǒng)與客戶和渠道商進(jìn)行定期地更新。

事實上，過去的兩三年里，晶圓供應(yīng)短缺一直是制約SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大瓶頸之一。尤其在2020年新冠肺炎疫情的沖擊下，每種原材料的供應(yīng)情況均備受關(guān)注，SiC MOSFET是否也受到負(fù)面影響？經(jīng)《國際電子商情》走訪發(fā)現(xiàn)，疫情之下SiC MOSFET供應(yīng)情況基本無影響。

“碳化硅原材料的生產(chǎn)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，相對來說受到的影響較小。”章劍鋒分享道，“以瑞能半導(dǎo)體為例：在設(shè)計項目上，公司大規(guī)模地啟用了線上會議和云辦公的工作模式，即使在疫情最嚴(yán)重的2月份，我們也按時完成了前期制定的新產(chǎn)品Tape Out工作，并未造成延誤。在制造生產(chǎn)上，半導(dǎo)體芯片制造本身就要在無塵超凈的工作環(huán)境下進(jìn)行，并且自動化程度也較高，所以半導(dǎo)體芯片的制造受疫情的直接影響相比其他制造業(yè)都要小。最后在原材料備貨上，瑞能也做了充足的備貨準(zhǔn)備，保證可以快速響應(yīng)客戶的需求。綜上所述，疫情對我們的供應(yīng)影響較小。”

同樣，蘇勇錦也回應(yīng)道：“沒有明顯影響。”就像前面提到的，ROHM已經(jīng)建立了垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制，從SiC晶圓到封裝整個流程全部在本集團(tuán)內(nèi)部進(jìn)行，以在性能、品質(zhì)和穩(wěn)定供應(yīng)方面與其他公司拉開差距。另外，了解和掌握客戶需求和市場發(fā)展趨勢是SiC MOS技術(shù)開發(fā)過程中非常重要的因素。ROHM通過與xEV制造商和汽車行業(yè)一級供應(yīng)商積極開展聯(lián)合研究，并將這些優(yōu)勢應(yīng)用在先進(jìn)SiC功率元器件的開發(fā)中。

Brandon Becker也表示：“安森美半導(dǎo)體通過多方采購保證供應(yīng)的連續(xù)性和快速響應(yīng)。我們有出色的團(tuán)隊，在公司內(nèi)外部的多個地點使我們的產(chǎn)品獲驗證，以確保我們的SiC制造不會因某一個地點而中斷。”

趙丹介紹道：“東芝是IDM廠商，目前供應(yīng)穩(wěn)定，產(chǎn)能充足。設(shè)計部門在研發(fā)第三代SiC產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富產(chǎn)品線。下一步東芝將重視客戶服務(wù)，充分聆聽市場和客戶的需求，來調(diào)整設(shè)計、制造和供貨等流程。”

Si/SiC/GaN的趨勢展望

不可置否，如今半導(dǎo)體材料已經(jīng)步入第三代，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）正突破傳統(tǒng)硅器件的物理性質(zhì)，創(chuàng)建出以往無法制造的新器件，其加速滲透的趨勢已不可逆轉(zhuǎn)。那么IC廠商及設(shè)計師們該如何看待Si、SiC及GaN之間的區(qū)別？并如何從三者中選擇呢？

英雄所見略同，五位受訪者均認(rèn)同：Si MOSFET是經(jīng)過50年完善并不斷改進(jìn)的器件，產(chǎn)業(yè)發(fā)展十分成熟，所以一定時期內(nèi)主流電源還會繼續(xù)使用硅器件；但在一些特定領(lǐng)域，碳化硅和氮化鎵器件已經(jīng)開始逐步替代硅器件了。

趙丹指出，成熟的硅器件短時間內(nèi)不會被取代，但碳化硅和氮化鎵器件會在追求效率和體積的高端產(chǎn)品開始更多地使用起來。如果碳化硅和氮化鎵需要爆發(fā)式增長，而目前市場規(guī)模不大幅增長的背景下，只能替代更多的傳統(tǒng)硅器件。碳化硅和氮化鎵由于本身的材料特性，一般認(rèn)為碳化硅適合高壓大功率應(yīng)用，而氮化鎵更適合于高頻應(yīng)用。在600V器件，碳化硅和氮化鎵已形成競爭。

目前東芝主力產(chǎn)品線還是在硅器件，不過很早就將SiC作為功率器件發(fā)展的重要方向。一方面深耕SiC工藝改進(jìn)，開發(fā)出更多具有出色技術(shù)優(yōu)勢的產(chǎn)品；另一方面則是深化器件的成本降低。同時，東芝還將根據(jù)市場的需求，不斷引入更新的技術(shù)指標(biāo)，借助東芝既有的功率器件傳統(tǒng)技術(shù)和服務(wù)優(yōu)勢，在電源系統(tǒng)設(shè)計替代方面不斷催生新的市場需求，從而將SiC功率器件服務(wù)到更廣泛的開發(fā)設(shè)計需求當(dāng)中。

蘇勇錦表示：“Si的通用性很好，SiC在大功率方面表現(xiàn)出色，GaN具有高頻特性，這三種功率元器件的特點各不相同。因此，我們認(rèn)為它們將在能夠發(fā)揮各自優(yōu)勢的領(lǐng)域逐步增長。”

據(jù)介紹，ROHM的開發(fā)以SiC為核心，同時推進(jìn)Si MOSFET和IGBT等Si功率半導(dǎo)體的開發(fā)。不僅如此，ROHM還在不斷擴(kuò)充通用產(chǎn)品群的產(chǎn)品陣容，如能大幅釋放各種功率半導(dǎo)體性能的柵極驅(qū)動器IC、以及電源IC、晶體管、二極管、用來檢測電流的分流電阻等。ROHM將運(yùn)用能夠一并驗證包括SiC在內(nèi)的功率半導(dǎo)體和驅(qū)動IC的線上仿真工具，為主逆變器、 DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器、電動壓縮機(jī)等眾多應(yīng)用提供非常具有優(yōu)勢的功率解決方案，助力客戶xEV實現(xiàn)高效化和小型化。

更值得一提的是，在Si和SiC功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上，已有個別國際大廠著手推進(jìn)GaN的布局開發(fā)，例如ROHM和英飛凌。

陳清源分享道：“英飛凌可以提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產(chǎn)品，這會令公司擁有更全面的應(yīng)用經(jīng)驗，并能更全面地了解客戶需求和市場風(fēng)向。具體來看，Si由于技術(shù)成熟度最高，以及性價比方面的優(yōu)勢，所以未來依然會是各個功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的主要器件。而SiC器件在三種材料中溫度穩(wěn)定性和可靠性都被市場驗證，所以在對可靠性要求更高的領(lǐng)域?qū)^快的增長，例如汽車和太陽能逆變器等。至于GaN器件，由于其在快速開關(guān)性能方面的優(yōu)勢，會在追求高效和高功率密度的場合，例如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等將有較快的增長。這三種技術(shù)將會共存，并不是‘誰’代替‘誰’的關(guān)系，而應(yīng)該是相互補(bǔ)充、補(bǔ)足的關(guān)系。未來Si/SiC/GaN的市場會同步發(fā)展，不可或缺。”

封面圖片來源：拍信網(wǎng)