DDR5是下一世代的DRAM，能降低功耗、提升效能并帶來更高的可靠性。由于帶寬是DDR4的兩倍，DDR5還能夠滿足當下CPU提升速度的訴求。存儲廠商不斷發表測試模組，為推出完整的產品蓄力，DDR5在今年開啟蓬勃發展元年。

眼下，我們距DDR5產品顯然更進一步。DDR5的開發分階段進行，包括內存控制器、接口、電氣等效測試IP和模組。科技媒體AnandTech指出：“SK海力士已經進行到了最后一個階段，至少是完成了模組中的芯片”

10月6日，SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。此番成果意味著，在即將到來的DDR5時代，SK海力士隨時能夠銷售相關產品。繼今年7月JEDEC固態存儲協會正式發布DDR5內存標準規范后，SK海力士也再次將DDR5帶入我們的視野。

存儲三強起跑

DRAM存儲器有三種主流技術，分別是DDR、LPDDR和GDDR。按照應用類型，DDR又可以劃分為PC端、服務器端、以及消費端。

目前，Graphics DRAM推進最快。終端主流顯卡去年陸續導入DDDR6，全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，今年三星GDDR6的滲透率預期將達到7成左右。

用于智能手機等移動終端的低功耗LPDDR5導入速度次之，目前已經被不少高端手機采用。一方面是由于規格定義較早；一方面得益于高通和聯發科兩大平臺的支持。同樣據TrendForce集邦咨詢預測，LPDDR5將在2022年正式取代LPDDR4成為市場主流。

DDR陣營內，消費級DRAM推進遲緩，目前消費性電子產品仍然處于DDR3到DDR4的轉換期，預計初期導入要到2023年。考慮到推進時程，以及DDR5本身就側重數據中心等應用場景的特點。故當前討論DDR5時，我們主要著眼于服務器和PC端市場。

技術轉換預計帶來成本降低和溢價商機，各大廠商卡位DDR5有著通順的邏輯。基于此，把控全球超95% DRAM市場份額的存儲三強超前布局并互相追趕。

存儲器龍頭三星電子在2018年2月開發出首款DDR5 DRAM，并在今年3月宣布，將于2021年正式開始量產DDR5內存。

雖然最初的開發進程稍慢，但位居DRAM市場第二名的SK海力士，仍用上了“全球第一”或者說“首款”這樣的營銷術語。2018年11月，SK海力士宣布成功開發全球第一款滿足JEDEC標準規范的16Gb DDR5 DRAM。

美光的1納米制程DDR5已經送客戶試樣，計劃在2020到2023年間陸續發展1Z、1A與1B納米制程，并將于2021年面向利基型終端產品量產8Gb小容量解決方案。

內存標準規范在今年7月確立后，DDR5大戰正式拉開序幕。在此之后的最新動態，即是SK海力士于近日宣布推出全球首款DDR5 DRAM。

整體來看，絲毫不令人意外的是，韓系廠商已經搶占DDR5時代的高地。

國內方面，國產存儲在今年取得突破，不過目前還沒有本土廠商真正進入DDR5賽場內。長鑫存儲已經能夠批量生產DDR4內存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動內存，雖然其采用的19nm工藝相比三星落后了兩到三代水平，但仍屬于目前主流水平。

DDR世代更迭的列車向前，內存接口芯片廠商仍能搭上順風車。瀾起科技計劃在今年完成DDR5第一代內存接口及其配套芯片量產版本芯片的研發。隨著技術的迭代，內存接口芯片新產品的價格不斷上漲，瀾起科技也將分羹溢價商機。

關于目前的賽局，來自TrendForce集邦咨詢的分析師透露了更多細節：目前來看，廠商封裝以16Gb為準，有助于8Gb切換到16Gb世代；制程工藝以1Y與1Z為主。分析師還強調，決定DDR5滲透率的關鍵是平臺，當前服務器端明顯快于PC端。

EUV導入DRAM進行時

DDR5競賽當前，龍頭廠商仍在改良第四代內存，成為近期值得關注的小趨勢，其原因何在？

SK海力士預估，2022年DDR5將占全球市場的10%，2024年將增至43%。這也意味著，DDR4內存還會在長期內占據市場，為不斷滿足客戶需求，進一步改良DDR4仍有其必要性。其次，考慮到DRAM產品同質性高、價格決定購買決策的產業特性，廠商降低制造成本的壓力持續存在。

在滿足消費者需求，提升成本結構并提高生產效率為導向的競爭策略之外，存儲廠商不斷改進成熟產品的工藝，也是在一同對抗著存儲產業的周期。

由于供需失衡，存儲產品價格自2018年中進入下行通道，這一態勢延續到2019年底。雖然DRAM現貨價格近期出現久違漲勢，下半年仍然承壓。

長期來看，隨著中國本土廠商在DRAM領域崛起，并進一步對市場供求關系施加影響，韓系廠商原本就緊繃的神經更是無法放松。

從頭部廠商當前采取的策略來看，除了持續轉進1Znm、1alpha納米制程，EUV光刻技術的引入，成為今年存儲廠商改進內存產品的鮮明主線。EUV指極紫外光刻，EUV光刻設備能夠以更短時間刻畫出細微電路。三星表示，引入EUV不僅能夠提升存儲器的性能，也能使效率大幅提升。

在DRAM領域，三星率先跨入EUV世代。2020年3月，該公司成功開發了基于EUV光刻技術的第四代10納米級（1a）DRAM。三星還計劃在2020年下半年引入EUV光刻設備，量產第四代10納米級（1a）16Gb DDR5 DRAM。

三星電子副董事長李在勇最近飛往荷蘭拜訪EUV設備唯一生產商ASML，以確保EUV設備的安全。不僅是為了和臺積電搶奪先進制程訂單，也是為了在DRAM領域升級工藝。

SK海力士計劃在2020年底之前完成無塵室的建設，并在2021年引進EUV設備，以生產第四代10納米DRAM。

積極的一面是，市場預期，在存儲器工藝技術的拐點處，也就是DDR4向DDR5轉換之際，供應將進一步趨緊，這將有助于廠商改善營運。

One More Thing

DDR4到DDR5的技術迭代還意味著什么？

在CPU等運算半導體領域，臺積電和英特爾率先采用EUV；而在存儲器領域，三星開創了應用EUV光刻設備的先河。三星在克服DRAM挑戰的同時獲取競爭優勢，也在不斷地引領著行業突破極限。

2018年6月，三星電子副社長李圭弼在題為“半導體的技術沒有極限”的演講中指出：10年前大家都認為DRAM技術將在2015年面臨極限，然而三星的團隊卻克服了。如今存儲器即將借助EUV跨過10納米制程大關，真像是歷史的回響。

回到商業范疇，DRAM市場有著超高市場集中度，價格呈周期波動態勢，技術創新才是對抗周期的不二法門。與此同時，DRAM跨足EUV世代，NAND Flash 150層疊堆技術再升級……存儲廠商競合的商業戰爭之外，存儲技術的演進也分外精彩。

封面圖片來源：SK 海力士