臺積電近日在線上研討會上透露了有關(guān)于先進(jìn)制程的大量資訊，目前剛量產(chǎn)的5納米制程良率已經(jīng)迅速超過7納米，對于蘋果A14X芯片以及AMD Zen 4處理器都是非常好的消息。

通常半導(dǎo)體制程良率是隨著時間而下降，并獲得更高的產(chǎn)量，也就是學(xué)習(xí)曲線的概念。不過臺積電表示，盡管5納米是更先進(jìn)的制程，但學(xué)習(xí)曲線表現(xiàn)比7納米更好，使量產(chǎn)非常順利，而5納米強(qiáng)化版制程N(yùn)5P也即將于明年開始量產(chǎn)，性能將再度提高5%，或功耗降低10%。

基本上只要缺陷數(shù)低于0.5/cm ²就算是合格的良率，目前已相當(dāng)成熟的7納米制程0.09/cm ²，但才剛量產(chǎn)不久的5納米制程良率就已達(dá)到了0.1/cm ²，顯示出過往更好的學(xué)習(xí)曲線，這可能主是得益于EUV技術(shù)的應(yīng)用，減少了工藝步驟，原本需要4步DUV如今EUV能一次完成，降低了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)，如此下一季5納米良率就將比7納米更好。

（Source：TSMC）

目前來看5納米將會給臺積電帶來更強(qiáng)的競爭力，不僅如此，臺積電還提供了最新N4工藝的預(yù)覽，N4除了通過減少掩模層來簡化工藝外，還提供了一條直接遷移路徑，可以全面相容5納米設(shè)計(jì)生態(tài)，預(yù)期將于明年底試產(chǎn)，2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

而臺積電下一代的N3工藝將成為世界上最先進(jìn)的邏輯技術(shù)，又會再度出現(xiàn)性能的飛躍與5納米相比將實(shí)現(xiàn)全節(jié)點(diǎn)的技術(shù)進(jìn)步，性能再度提高15%、功耗降低30%、邏輯密度提高70%。但值得注意的是，3納米仍然會是FinFET，這點(diǎn)倒是令市場相當(dāng)意外，預(yù)計(jì)要到2納米才會采用GAA。

（Source：TSMC）

當(dāng)然面對質(zhì)疑，臺積電也表示，經(jīng)過與客戶的協(xié)商，3納米制程預(yù)期的成本及性能表現(xiàn)已受到廣泛的支持。盡管三星宣稱在3納米將使用GAA，但臺積電仍相當(dāng)胸有成竹。當(dāng)然臺積電仍在持續(xù)探索3納米以下的技術(shù)，例如納米碳管等新材料的應(yīng)用，不過目前來看單一晶體管的性能提升已漸趨有限，需要更好的設(shè)計(jì)才能達(dá)到更高的效率。