半導(dǎo)體聯(lián)盟消息，據(jù)韓媒《Business Korea》報導(dǎo)，韓國科技大廠SK海力士已克服了下一代存儲器量產(chǎn)的障礙之一，全球電子設(shè)計自動化龍頭美商新思科技在近期宣布，將向SK海力士供應(yīng)系統(tǒng)單芯片(SoC)技術(shù)方案，以協(xié)助該公司量產(chǎn)高頻寬存儲器HBM2E。

該SoC方案符合基于臺積電7納米制程JEDEC的HBM2E SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，并具有409 GB/秒的數(shù)據(jù)率，可以在一秒鐘內(nèi)處理110部全高清電影(每部電影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存儲器芯片可以同時從數(shù)千個孔洞向數(shù)據(jù)發(fā)送功率，與目前的技術(shù)相比，可以減少30%以上的芯片尺寸并減少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC，與邏輯芯片(例如GPU)相距僅數(shù)十微米。因此，相較于在主機板上與SoC并行安裝，可以進一步縮短數(shù)據(jù)傳輸距離，實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。

不過，HBM2E DRAM價錢是當(dāng)前的兩到三倍，且尺寸大于LPDDR4芯片。因此，市場并不大，僅用于要求超高性能的地方，例如IDC或超級電腦等大型數(shù)據(jù)中心。

但是，隨著5G移動通信、人工智能(AI)、自動駕駛和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的出現(xiàn)，對高性能服務(wù)器的需求持續(xù)成長，市場前景樂觀。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片，三星電子也隨即投入了HBM芯片的開發(fā)，從而引發(fā)了兩家公司的激烈競爭。針對新一代HBM2E芯片而言，三星電子于今年初首次開始量產(chǎn)，SK海力士是于2019年8月推出，但尚未正式開始量產(chǎn)。