新華三50億投建芯片設(shè)計開發(fā)基地

近日紫光集團(tuán)旗下新華三集團(tuán)與成都高新區(qū)舉行“新華三芯片設(shè)計開發(fā)基地項目投資合作協(xié)議簽署儀式”，正式宣告發(fā)力高端路由器芯片的自主研發(fā)。

據(jù)了解，該項目總投資約50億元，新華三將在成都高新區(qū)成立新華三半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，并投資運(yùn)營芯片設(shè)計開發(fā)基地，將聚焦于新一代高端路由器芯片的自主研發(fā)，提供高性能的高端路由器產(chǎn)品與解決方案。

紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁兼新華三首席執(zhí)行官于英濤表示，新華三半導(dǎo)體技術(shù)公司將吸收全球范圍內(nèi)的優(yōu)秀芯片人才，高起點開展芯片業(yè)務(wù)，未來會適時啟動人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等其他前沿領(lǐng)域芯片的自主研發(fā)。

南京出臺利好芯政

近日，南京市浦口區(qū)出臺促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策，提出對新引進(jìn)落戶的集成電路企業(yè)，依據(jù)其固定資產(chǎn)投資規(guī)模和經(jīng)專業(yè)機(jī)構(gòu)認(rèn)定的實際投入給予相應(yīng)補(bǔ)助。

其中，晶圓制造類實際投入在10億元以上的，按不超過實際投入的10%給予補(bǔ)助；實際投入在 30 億元以上的，按不超過實際投入的 12%給予補(bǔ)助；最高不超過5億元，補(bǔ)助期限不超過五年。

此外芯片設(shè)計類、封裝測試類、材料及設(shè)備類等符合條件的企業(yè)亦可獲得相應(yīng)的補(bǔ)助，芯片設(shè)計類最高不超過1億元，封裝測試類、材料及設(shè)備類最高不超過2億元，補(bǔ)助期限不超過五年。

無錫SK海力士二工廠即將竣工

聯(lián)播無錫》消息顯示，無錫SK海力士二工廠將于4月18日迎來竣工投產(chǎn)。報道稱，SK海力士二工廠項目投資86億美元，2017年6月正式開工，將于本月18日正式舉行竣工儀式。該項目建成完全達(dá)產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)18萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能。

據(jù)悉，SK海力士與無錫已有15年的合作，接下來將與江蘇省包括無錫市及高新區(qū)全面戰(zhàn)略合作。2018年SK海力士開始推進(jìn)將韓國總部的8英寸系統(tǒng)芯片項目遷到無錫，隨后還決定把中國銷售總部遷至無錫。

接下來，SK海力士還將在無錫建設(shè)學(xué)校項目和醫(yī)院項目，SK海力士學(xué)校項目計劃于2021年下半年建成開學(xué)，一期規(guī)模計劃招收小學(xué)生1000名，二期將建設(shè)初中，計劃招收500名學(xué)生；SK醫(yī)院項目計劃在2022年建成開院。

中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模壯大

4月8日，工信部電子信息司集成電路處處長任愛光介紹了中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最新情況。數(shù)據(jù)顯示，2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額6532億元，2012年到2018年的復(fù)合增長率20.3%。

其中，中國集成電路設(shè)計業(yè)銷售收入2519.3億元，所占比重從2012年的35%增加到38%；制造業(yè)銷售收入1818.2億元，所占比重從23%增加到28%；封測業(yè)銷售收入2193.9億元，所占比重從42%變?yōu)?4%，中國集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)趨于優(yōu)化。

任愛光介紹，我國設(shè)計業(yè)先進(jìn)設(shè)計水平達(dá)到7納米，但仍以中低端產(chǎn)品為主；制造業(yè)領(lǐng)域存儲器工藝實現(xiàn)突破，14納米邏輯工藝即將量產(chǎn)，但與國外仍有兩代差距；封測業(yè)是與國際差距最小的環(huán)節(jié)，高端封裝業(yè)務(wù)占比約為30%，但產(chǎn)業(yè)集中度需進(jìn)一步提高。

高通發(fā)布三款中端芯片

4月10日，高通在美國舊金山舉行的“AI Day”上，正式發(fā)布3款中階移動處理器，包括驍龍665、730、730G等，主要為人工智能、電競、相機(jī)、性能等卓越體驗而設(shè)計。

高通表示，搭載這3款處理器的終端裝置，預(yù)計2019年中陸續(xù)問世。

驍龍665處理器是2017年極暢銷的驍龍660處理器進(jìn)化版，采用三星11納米LPP制程；驍龍730處理器則是中階驍龍700旗艦系列的最新產(chǎn)品，也可視為驍龍710處理器的進(jìn)化版，首次采用三星8納米LPP制程生產(chǎn)。

在驍龍730處理器的基礎(chǔ)上，高通還發(fā)布了驍龍730G處理器，是專為頂尖電競玩家打造。相關(guān)硬件架構(gòu)都與驍龍730處理器相同的情況下，驍龍730G處理器硬把GPU部分改為增強(qiáng)版的Adreno 618，并拉升頻率，號稱圖像處理速度再提升達(dá)15%。