2025年4月16日，在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發布了第二代車規主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，性能達到國際頭部最新一代水平，在第一代的高可靠基礎上，進一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實現了在行業主流芯片面積需求條件下性能提升，可靠性3倍于行業通用認證要求：低導通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）、高可靠性（＞3000小時）以及可支持1000VDC電驅系統”等特點。

方正微電子的車規主驅第一代SiC MOS早已大規模上車，預計2025年將實現上乘用車主驅幾十萬輛車的新跨越。方正微電子車規/工規SiC全系產品聚焦新能源車、光儲充、UPS、工業電源、AI服務器以及新興應用機器人、eVTOL、電動船舶等應用領域，已大規模出貨，其第二代車規主驅SiC MOS 對標行業頭部友商最新的第四代車規主驅產品。

本次方正微電子攜G1/G2/G3三代車規碳化硅晶圓、襯底、外延、裸die、器件、模組亮相，涵蓋G1 SiC MOS 1200V 系列，G2 SiC MOS 1200V 系列、G2 750V SiC MOS系列，G3 SiC MOS產品，及G1 SiC功率模組1200V。應用覆蓋了新能源汽車全系應用、包括主驅控制器、OBC充電機、DCDC轉換器、空氣懸掛、電動壓縮機等。

針對光伏MPPT Boost、光伏儲能逆變、直流充電樁等應用，方正微電子展示了SIC MOS單管及模組，與SiC SBD解決方案。具體涵蓋了SiC MOS 1200V EASY2B功率模組，SiC MOS 1200V 系列單管器件，SiC MOS 750V/650V 系列單管器件, SiC MPS（肖特基二級管第三代產品）系列單管器件。

隨著碳化硅應用場景不斷拓展，新興應用不斷涌現，例如AI、eVTOL、智能機器人、新能源船舶等，使用碳化硅助其實現更高功率、更少損耗、更小體積。方正微電子本次還能展示了SiC系列功率模組，1200V EASY2B模組、1200V TPAK模組、1200V SMIT模組、HPD模組，涵蓋了車規及工規多種使用場景，目前還有G2系列產品正在開發中。