半導(dǎo)體聯(lián)盟消息,在2019年存儲(chǔ)器相關(guān)投資大幅下跌之后,市場(chǎng)預(yù)期2020年新存儲(chǔ)器容量投資將急劇增加。受邏輯半導(dǎo)體制造商之間的競(jìng)爭(zhēng)所推動(dòng),邏輯芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大,新設(shè)備相關(guān)需求也推動(dòng)了EUV光刻機(jī)的量產(chǎn),為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多的動(dòng)能。

展望2020年,相對(duì)2019年的下跌,存儲(chǔ)器設(shè)備投資預(yù)期將會(huì)有所增加。考量到近期存儲(chǔ)器供需狀況的改善,除非相關(guān)投資能在今年第二季有所回升,否則2021年恐將面臨存儲(chǔ)器供應(yīng)嚴(yán)重短缺。因此,主要存儲(chǔ)器制造商預(yù)期將在今年下半年加大投資。

《Business Korea》報(bào)導(dǎo),三星電子DRAM存儲(chǔ)器容量將以50k wpm的速度增長(zhǎng),而NAND則將以85k wpm的速度增長(zhǎng),SK海力士的DRAM的存儲(chǔ)器容量將以30k wpm的速度增長(zhǎng),從這些數(shù)據(jù)來(lái)推斷,主要的存儲(chǔ)器設(shè)備制造商有可能在2020年創(chuàng)下有史以來(lái)最強(qiáng)勁的獲利。

另一方面,芯片尺寸的增加,以及EUV光刻技術(shù)引入DRAM制程中,也有利于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。在邏輯芯片制造商之間的競(jìng)爭(zhēng)推動(dòng)下,邏輯芯片的尺寸持續(xù)擴(kuò)大。基于固定容量,隨著芯片尺寸的增加,芯片出貨量將會(huì)下跌,也將推動(dòng)容量相關(guān)投資。2020年,英特爾(INTC-US)計(jì)劃投資170億美元,使產(chǎn)能年增25%。臺(tái)積電也計(jì)劃進(jìn)行150億美元的投資,較2018年增加50%。

新創(chuàng)獨(dú)角獸公司Cerebras日前推出了全球最大的電腦芯片-晶圓級(jí)引擎(Wafer-Scale Engine,WSE),標(biāo)志半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要里程碑,芯片尺寸的大幅度增加也將提高AI運(yùn)算能力,WSE芯片是由臺(tái)積電16納米制程打造的300mm晶圓切割而成。

近期5納米邏輯芯片和1Z納米DRAM制程引入EUV設(shè)備也將使半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)受益。臺(tái)積電如今正在引入4至5層EUV光罩層,用在包括5納米EUV光刻技術(shù)、孔洞陣列(hole arrays)等。