近日，上海芯元基半導體科技有限公司(簡稱“芯元基”)第三代半導體氮化鎵項目正式簽約落戶安徽池州高新區。

據寶地貴池微信公眾號報道，芯元基第三代半導體GaN基UVA及DPSS項目總投資6億元，規劃用地約100畝，分兩期建設：其中一期投資2億元，打造一條GaN基DPSS襯底生產線，一條UVA365nm芯片生產線，并建設配套設施等；二期投資4億元，建設行政、生產一體化廠房及配套， 計劃于2023年6月前實現年度銷售收入不低于1億。

資料顯示，芯元基成立于2014年，是一家以基于第三代半導體氮化鎵（GaN）材料為主研發、設計、生產芯片的創新型公司，具有自主知識產權的復合圖形化襯底(DPSS)、藍寶石襯底化學剝離和晶圓級芯片封裝等LED芯片創新技術，產品應用終端包括電源、充電器、適配器、汽車電子和小家電等。公司擁有全球首創自主知識產權，技術打破了LED芯片生產核心工藝技術的國際壟斷。

第三代半導體氮化鎵項目的成功簽約，標志著上海芯元基半導體科技有限公司與池州高新區的合作正式開啟。

據天眼查信息顯示，知名半導體設備廠商中微半導體設備（上海）股份有限公司持有芯元基12.39%的股份，是芯元基的第四大股東。