日前，總投資150億元的無(wú)錫先導(dǎo)集成電路裝備與材料產(chǎn)業(yè)園簽約儀式順利舉行。儀式上作為產(chǎn)業(yè)園的首個(gè)落戶項(xiàng)目，總投資37億元的吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項(xiàng)目也正式簽約。
此次先導(dǎo)集團(tuán)建設(shè)全國(guó)首個(gè)集成電路裝備和核心材料產(chǎn)業(yè)園，攜手業(yè)界知名公司共建化合物半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)自主創(chuàng)新供應(yīng)鏈，合作研制新型定制化、差異化的設(shè)備、零部件和材料，形成具有產(chǎn)業(yè)特色的集成電路特色裝備與材料的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，必將為無(wú)錫加快打造培育“世界級(jí)”產(chǎn)業(yè)集群，做強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高端化，提升產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化水平，夯實(shí)無(wú)錫經(jīng)濟(jì)的“產(chǎn)業(yè)底盤(pán)”做出新的貢獻(xiàn)。高新區(qū)將進(jìn)一步細(xì)化市委市政府政策，進(jìn)一步優(yōu)化區(qū)域營(yíng)商環(huán)境，推動(dòng)企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)，為無(wú)錫當(dāng)好全省高質(zhì)量發(fā)展領(lǐng)跑者做出貢獻(xiàn)。
據(jù)無(wú)錫高新區(qū)報(bào)道，無(wú)錫先導(dǎo)集成電路裝備與材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目規(guī)劃占地700畝，總投資150億元，擬分3期進(jìn)行建設(shè)。整個(gè)產(chǎn)業(yè)園以總部大樓、特色I(xiàn)C設(shè)計(jì)孵化器、專用裝備基地、高端材料區(qū)、特色工藝區(qū)進(jìn)行布局，計(jì)劃5年后形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體裝備與核心零部件材料產(chǎn)業(yè)集群，最終形成具有產(chǎn)業(yè)特色的集成電路特色裝備與材料的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，填補(bǔ)無(wú)錫地區(qū)的產(chǎn)業(yè)鏈空白。
而吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項(xiàng)目為首個(gè)落戶無(wú)錫先導(dǎo)集成電路裝備與材料產(chǎn)業(yè)園的項(xiàng)目，主要進(jìn)行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。項(xiàng)目總投資約人民幣37億元，計(jì)劃用地50畝，全部建成投產(chǎn)后，不僅能夠打通從材料到芯片到器件的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，創(chuàng)造年30億元的銷售額，還能夠填補(bǔ)無(wú)錫市在化合物半導(dǎo)體原材料領(lǐng)域的空白，提升我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展水準(zhǔn)。
封面圖片來(lái)源：無(wú)錫高新區(qū)
