4月25日，中國泰山第五屆國際高洽會暨“雙招雙引”項目集中簽約儀式舉行，活動共簽約項目22個，其中包括3個半導體產業項目。

這次簽約項目涉及新一代信息技術、醫養健康、高端裝備制造等多個領域，涵蓋了外國高端人才團隊合作項目，以及中科院半導體研究所、國家千人計劃專家技術合作項目等，其中泰山芯片制造聯合實驗室建設項目、中韓高端芯片材料制備半導體單晶襯底和外延研發生產項目、功能性感光材料研發及產業化項目等與半導體相關。

泰山芯片制造聯合實驗室建設項目主要以光電芯片制造技術為研究方向，重點開發化合物半導體材料光電芯片制備技術，深入開展第三代半導體材料氮化鎵外延片、氮化鎵LED及光電芯片制備的研發與生產。

該項目依托中國科學院半導體研究所，建設芯片制造技術聯合實驗室，加強氮化鎵外延片、氮化鎵LED及芯片制備開發。以實驗室為基地，托特半導體（山東）有限公司與中國科學院半導體研究所雙方將共同申請科研項目和重大課題基金，聯合開展前沿基礎性、關鍵性、重大性科學研究和人才培養。

中韓高端芯片材料制備半導體單晶襯底和外延研發生產項目以中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室主任宋國峰為技術研發帶頭人、韓國明知大學物理學教授金英鎬等外延工程師專家組成核心技術的科研團隊，專注于氮化鎵芯片、MOCVD/LPE/HVPE裝備設計制造、外延工藝等方面的研發。

該項目計劃總投資15億元，建設10臺套4〞×31MOCVD和30臺套4〞×12HVPE生產線，項目建成后月生產氮化鎵2萬片，實現年產值26億元。項目一期占地約2300平方米、二期產業化生產基地約100畝。

功能性感光材料研發及產業化項目由康文兵教授團隊帶領，研發多種功能性感光材料,應用于半導體芯片、顯示器制造、芯片封裝、印刷版材制造等多個領域。項目落地后，預計3-5年內產品將大規模替代進口、填補國內高端感光材料及關聯材料的空白，5年內預計實現銷售收入2億元。

上述項目涉及第三代半導體等新材料領域，近年來山東省正在推進新材料發展，2018年10月山東省政府正式印發《山東省新材料產業發展專項規劃（2018—2022年）》，除了泰安外，濟南、德州等地也正在發力第三代半導體，隨著這些項目落戶，山東的新材料產業再添新動力。