4月26日，武漢市第二批科技成果轉(zhuǎn)化·中科院集成電路光谷專場(chǎng)活動(dòng)在東湖高新區(qū)成功舉辦，中科院相關(guān)院所的14個(gè)集成電路成果項(xiàng)目簽約，其中包括與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作的新型存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目。

活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，來自中科院微電子研究所、計(jì)算機(jī)所、電子學(xué)所、深圳先進(jìn)技術(shù)研究院等12家科研院所的30余位集成電路領(lǐng)域?qū)＜椰F(xiàn)場(chǎng)發(fā)布100余項(xiàng)技術(shù)成果，包括新型存儲(chǔ)器件及集成、人臉識(shí)別、精密加工、紅外探測(cè)等。

其中，三維新型存儲(chǔ)器、自主可控SSD控制器芯片設(shè)計(jì)等7個(gè)項(xiàng)目上臺(tái)路演，新型存儲(chǔ)器研發(fā)、非制冷紅外探測(cè)器晶圓級(jí)封裝技術(shù)研發(fā)、高硬度高熔點(diǎn)第三代半導(dǎo)體典型材料碳化硅晶圓超快激光多焦點(diǎn)隱切技術(shù)及裝備產(chǎn)業(yè)等14個(gè)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)簽約，簽約金額超過10億元。

據(jù)了解，武漢市科技成果轉(zhuǎn)化局與中科院武漢分院于3月8日簽訂《關(guān)于推動(dòng)中科院科技成果在漢轉(zhuǎn)化合作協(xié)議》，深入推動(dòng)中科院科技創(chuàng)新資源與武漢高質(zhì)量發(fā)展的全面對(duì)接，此次集成電路專場(chǎng)正是落實(shí)協(xié)議的首場(chǎng)活動(dòng)。

此次簽約金額最大的項(xiàng)目是由中科院院士劉明團(tuán)隊(duì)所主導(dǎo)的新型存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目，簽約金額為2400萬元。資料顯示，劉明院士從事存儲(chǔ)研究多年，今年1月其領(lǐng)導(dǎo)的“新型存儲(chǔ)器件及集成研究集體”獲得了2018年度中國(guó)科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)。

據(jù)介紹，這次劉明院士團(tuán)隊(duì)帶來的三維新型阻變存儲(chǔ)器項(xiàng)目，可在更小半導(dǎo)體器件尺寸條件下，探索多層堆疊的高密度存儲(chǔ)，把信息“堆”起來存。“如果說傳統(tǒng)存儲(chǔ)是大型室外停車場(chǎng)，那么3D存儲(chǔ)相當(dāng)于多高層停車城，把車疊起來停，可停車量級(jí)大幅躍升”。劉明院士團(tuán)隊(duì)成員現(xiàn)場(chǎng)解釋時(shí)打比方。

值得一提的是，該項(xiàng)目的簽約方分別為中科院微電子研究所和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司。

眾所周知，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國(guó)三大存儲(chǔ)器基地之一，專注于3D NAND 閃存的設(shè)計(jì)與制造。2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。

2018年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出其突破性技術(shù)——XtackingTM，并成功將Xtacking TM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已量產(chǎn)32層3D NAND，按照規(guī)劃將于今年量產(chǎn)64層3D NAND。

長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)等媒體報(bào)道稱，劉明院士的三維新型阻變存儲(chǔ)器項(xiàng)目，將助力國(guó)家存儲(chǔ)器基地對(duì)128層256Gb存儲(chǔ)器的研發(fā)。